Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
• Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
• Мощность: 140 Вт