Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод

Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.
Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод.

• Модель: FGA25N120
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
• Управляющее напряжение: 5.5 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
• Прямой ток диода: 25 А
• Тип корпуса: TO-3P