Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)

С превосходной скоростью; функцией Plug N Play; удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов; которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения.

Увеличивая скорость; емкость и надежность; Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций; таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях; два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC); обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях; при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге; Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня; при котором идеально сочетаются стиль и производительность.

Кроме того; Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified; что означает; что пользователи могут рассчитывать на простой; стабильный и сертифицированный разгон.

Особенности:

• Более высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее; чем DDR4; что добавляет производительности в играх; рендере и многозадачных средах.
• Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты; указанной в спецификациях.
• Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами; скоростью и напряжением питания для разгона.
• Ниже энергопотребление; выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.
• Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC; ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.