Оснащений інтерфейсом PCI Express Gen3 x4 з підтримкою стандарту NVMe; твердотільний накопичувач у форм-факторі M. 2 Transcend MTE820 демонструє видатну продуктивність.
Твердотільний накопичувач MTE820 призначений для оснащення високопродуктивних систем; використовуються для завдань; які вимагають максимального рівня готовності і не допускають жодних затримок — робочих станцій для обробки аудіо та відео; ігрових ПК; а також корпоративних рішень.
Побудовані на базі флеш-пам'яті 3D TLC NAND; твердотільні накопичувачі MTE820 M. 2 не тільки забезпечують високу швидкість передачі даних; але також демонструють високий рівень надійності.
Відмінний рівень продуктивності для найбільш вимогливих рішень
Твердотільні накопичувачі Transcend MTE820 виконані у форм-факторі M. 2; оснащені інтерфейсом PCIe Gen3 x4 і відповідають всім вимогам стандарту NVMe 1.2 і для одночасної передачі і прийому даних використовуються чотири лінії; що сумарно забезпечує пропускну здатність до 1370 МБ/с при читанні і 830 МБ/с при записі.
Що таке інтерфейс PCIe
Інтерфейс PCIe (або PCI Express) використовується для з'єднання хост-комп'ютера з твердотільними накопичувачами. Даний інтерфейс використовує одну або більше ліній; по кожній з яких здійснюються передача і прийом даних; і відрізняється від SATA (або Serial ATA) значно більш високою продуктивністю; що дозволяє йому в найкращій мірі відповідати вимогам сучасних високошвидкісних систем і пристроїв.
Що таке стандарт NVMe
NVMe (або NVM Express) — це інтерфейс хост-контроллера; створений для використання в корпоративних і клієнтських системах; які оснащені твердотільними накопичувачами з інтерфейсом PCI Express. Стандарт NVMe передбачає більш високий рівень продуктивності; чим AHCI (Advanced Host Controller Interface); у тому числі; він містить вимоги щодо масштабування пропускної здатності; більшої кількості операцій введення/виводу в секунду і мінімізації затримок.
3D-технології розширюють межі можливого
На відміну від колишніх; плоских по своїй структурі мікросхем NAND; комірки флеш-чіпів 3D NAND розташовуються в декількох площинах і можуть знаходитися одна над іншою. Технологія 3D NAND покликана подолати існуючі обмеження щільності розміщення осередків флеш-пам'яті; а також підвищити рівень продуктивності і довговічності цього типу пам'яті.
